首页> 外文OA文献 >Recent Progress of Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors and Applications to Nonvolatile Logic and FeNAND Flash Memory

【2h】

Recent Progress of Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors and Applications to Nonvolatile Logic and FeNAND Flash Memory

机译：铁电栅场效应晶体管的最新进展及其在非易失性逻辑和FeNaND闪存中的应用

代理获取

本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务，本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文，但由于OA文献来源多样且变更频繁，仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况，如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

页面导航

著录项
引文网络
相似文献
相关主题

著录项

作者
Mitsue Takahashi; Shigeki Sakai;
展开▼
作者单位

展开▼
年度 2010
总页数
原文格式 PDF
正文语种
中图分类

相似文献

外文文献
中文文献
专利

1. Recent Progress of Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors and Applications to Nonvolatile Logic and FeNAND Flash Memory [J] . Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai Materials . 2010,第11期

机译：铁电栅极场效应晶体管的最新进展及其在非易失性逻辑和FeNAND闪存中的应用
2. A Bit-by-Bit Re-Writable Eflash in a Generic 65 nm Logic Process for Moderate-Density Nonvolatile Memory Applications [J] . Song S.-H., Chun K.C., Kim C.H. Solid-State Circuits, IEEE Journal of . 2014,第8期

机译：适用于中等密度非易失性存储器应用的通用65 nm逻辑过程中的逐位可重写Eflash
3. Hysteresis In Ln_2o_3:zn Nanowire Field-effect Transistor And Its Application As A Nonvolatile Memory Device [J] . Wenfeng Zhang, Jiansheng Jie, Linbao Luo, Applied Physicsletters . 2008,第18期

机译：Ln_2o_3：zn纳米线场效应晶体管中的磁滞现象及其在非易失性存储器件中的应用
4. Gate-All-Around Nanosheet Field-Effect Transistors for Advanced Logic and Memory Applications: Integration and Device Features [C] . A. Veloso, P. Matagne, G. Eneman, Electrochemical Society;International Symposium on Dielectrics for Nanosystems: Materials Science, Processing, Reliabliity, and Manufacturing . 2020

机译：用于高级逻辑和内存应用的门 - 全部纳米纳秒场效应晶体管：集成和设备功能
5. Fabrication and Characterization of III-V Tunnel Field-Effect Transistors for Low Voltage Logic Applications. [D] . Romanczyk, Brian R. 2013

机译：用于低压逻辑应用的III-V隧道场效应晶体管的制造与表征。
6. Recent Progress of Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors and Applications to Nonvolatile Logic and FeNAND Flash Memory [O] . Shigeki Sakai, Mitsue Takahashi 2010

机译：铁电栅极场效应晶体管的最新进展及其在非易失性逻辑和FeNAND闪存中的应用
7. Recent Progress of Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors and Applications to Nonvolatile Logic and FeNAND Flash Memory [O] . Mitsue Takahashi, Shigeki Sakai 2010

机译：铁电栅场效应晶体管的最新进展及其在非易失性逻辑和FeNaND闪存中的应用
8. Radiation Tests of Highly Scaled, High-Density, Commercial, Nonvolatile NAND Flash Memories - Update 2012. [R] . F. Irom G. R. Allen 2012

机译：高度缩放，高密度，商用，非易失性NaND闪存的辐射测试 - 更新2012。

Recent Progress of Ferroelectric-Gate Field-Effect Transistors and Applications to Nonvolatile Logic and FeNAND Flash Memory

著录项

引文网络

相似文献

相关主题

期刊订阅